0755-82760106
0755-83260671
269850795
加微信添好友
2437463531
加微信添好友
作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時間：2024-09-18 瀏覽次數(shù)：
東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，
這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將 RDS（on） 較低的芯片封裝在同一封裝中成為可能。
這有助于提高效率并減小電源的尺寸。東芝 DTMOSIV MOSFET 非常適合與開關(guān)穩(wěn)壓器一起使用。
特征
低漏源通電阻
易于控制門開關(guān)
與上一代相比，RDS（ON）減少30%
電源開關(guān)效率最高
減少成本
封裝選項包括DPAK、IPAK、D2 PAK、8 mm x 8 mm DFN、I2 PAK、TO-220、TO-220 SIS、TO-247、TO-3 P（N）和TO-3 P（L）
應(yīng)用程序
開關(guān)模式電源（SMPS）
照明
功率因數(shù)控制（PFC）
工業(yè)（包括 UPS）
聯(lián)系我們:0755-82760106
投訴建議:0755-83260671
郵箱：jessie@ruizhengwei.com
總部地址：廣東省深圳市龍崗區(qū)橫崗街道榮德國際A座18F
微信公眾號二維碼
Copyright ? 2024深圳市瑞政微電子有限公司 版權(quán)所有 備案號:粵ICP備2024178191號-1 后臺登錄
CH
EN
下載