TOSHIBA(東芝)-SSM3J327R

1.SSM3J327R應(yīng)用

? 電源管理開關(guān)

2.SSM3J327R特性

（1） 1.5 V 驅(qū)動(dòng)
（2）低漏源導(dǎo)通電阻：
RDS（ON） = 240 mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V）

RDS（ON） = 168 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）

RDS（ON） = 123 mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）

RDS（ON） = 93 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）

3.SSM3J327R絕對最大額定值（注）（除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會(huì)導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請?jiān)诓榭礀|芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和各個(gè)可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報(bào)告和估計(jì)故障率等）后設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴Ｗ?1：確保通道溫度不超過 150 注 2：脈沖寬度（PW） ≤10 ms，占空比 ≤ 1% 注 3：設(shè)備安裝在 FR4 板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，銅墊：645 mm2）注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時(shí)，應(yīng)保護(hù)工作臺(tái)、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時(shí)，請務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J327R靜態(tài)特性（除非另有規(guī)定，Ta = 25 ）

注 1：如果在門和源之間施加正向偏置，該器件將進(jìn)入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會(huì)降低。注 2：設(shè) Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導(dǎo)致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關(guān)操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關(guān)系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設(shè)備時(shí)請考慮這一點(diǎn)。注 3：脈沖測量。