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FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

作者：網站管理員    發布時間：2022-05-06    瀏覽次數：

產品屬性
類型 描述
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 onsemi
系列 QFET®
包裝 卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 115 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 6.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號 FQD13N06

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